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张媛媛; 丁双朋; 陈炳若;
武汉大学物理科学与技术学院;
双结型硅色敏器件; 蓝紫响应度; 短路电流比波长特性;
机译:基于纳米结构普鲁士蓝和聚(丁基紫精)薄膜的高对比度固态电致变色器件
机译:双极型磁敏晶体管的灵敏度符号取决于器件结构
机译:发射极结偏置对双极型器件低剂量率辐射响应的影响
机译:改善亚甲基蓝敏化二色结石的透射率
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:异质结构单晶硅光伏电池:扩展。 a型,半导体异质结硅器件。最终报告,1978年5月15日 - 1978年8月10日
机译:具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译:多极型双极结型晶体管,双极型CMOS DMOS器件,制造双极型双极结型晶体管的方法以及制造双极型CMOS DMOS器件的方法,包括高放大倍数和击穿电压
机译:制备普鲁士蓝型金属络合物的纳米粒子的方法,由其获得的普鲁士蓝型金属络合物的纳米粒子,纳米粒子的分散,调节纳米粒子的结色的方法,以及电极和透射光的纳米调节体
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