Bi_(12)SiO_(20)晶体暗电阻率与光电导率的测量

摘要

Bi_(12)SiO_(20)晶体是光电导电光晶体,主要用于体全息存储。它的暗电阻率与光电导率又是表征其存储特性的指标之一。 本文介绍Bi-(12)SiO_(20)晶体的暗电阻率与光电导率的测量方法和本所晶体之测量结果。表明本所研制的Bi-(12)SiO-(20)晶体与国外的水平相当。 本法简单可靠、易推广。