BR-D96N薄膜共线全息图像存储实验研究

摘要

利用一种生物光致变色材料—基因突变菌紫质BR-D96N薄膜的光致变色特性,实现了可擦写式共线全息图像存储实验.对于光密度为3.0的BR-D96N薄膜,在700mW/cm2的记录光强下(波长为632.8nm,物光、参考光光强比为约1∶1.2),全息图建立的最佳曝光时间约为3s,最佳再现光强约为50mW/cm2,全息图寿命约为10min.实验表明:共线全息存储技术光学系统简单,系统体积小,受存储环境的影响低,并能够实现高密度存储;同时也实验验证了BR-D96N薄膜具有响应速度快,感光灵敏度高,擦写次数高,稳定耐用,使用方便等优点,可以作为一种较灵敏的可擦写共线全息记录介质.