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费瑾文; 汤庭鳌;
复旦大学微电子学系ASIC和系统实验室;
PZT薄膜; 界面层; 铂溅射温度; 二氧化钛; 退火温度;
机译:PZT薄膜电容器中去极化效应,界面层和疲劳行为之间的相互作用
机译:导电氧化锶钌界面层,用于PZT / SrRuO_3 /金属薄膜电容器
机译:MOCVD法制备强电介质PZT薄膜电容器I.形成稳定性和前后工艺的相关性
机译:溶胶 - 凝胶PZT薄膜厚度和电极结构对Pt / PZT / PT电容器的电气特性的影响
机译:锆酸钛酸铅(PZT)基薄膜电容器,用于嵌入式无源应用。
机译:在不同条件下生长的PEALD TiO2介电薄膜的MOS电容测量以及Al2O3部分单层插入的影响
机译:pb(Zr(sub 1-x)Ti(sub x))O(sub 3)(pZT)和srBi(sub 2)Ta(sub 2)O(sub 9)sBT铁电薄膜中氢诱导降解过程的研究基于电容器
机译:在单晶金刚石上形成PZT薄膜的方法,形成有PZT薄膜的单晶金刚石和使用形成有PZT薄膜的单晶金刚石的电容器
机译:在单晶金刚石上形成PZT薄膜的方法,以及由PZT薄膜和电容器制成的单晶金刚石
机译:PZT PZT PZT薄膜层压板及生产PZT薄膜层压板的方法
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