NTD CZ-Si退火过程的PL光谱研究

摘要

利用光致发光谱研究了 NTD CZ-Si 在650～950℃退火过程中辐照缺陷随退火温度的变化,发现在700～800℃范围内 PL 光谱强度最大。与硅中氧浓度变化规律相比较,认为该温区退火过程中产生的缺陷主要是与硅中氧、碳杂质有关的微沉淀。