负向电压与氧化时间对AZ91D微弧氧化膜层形成特性的影响

摘要

在硅酸盐体系下对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理,研究了负向电压和氧化时间对微弧氧化膜层特性的影响,并通过XRD、金相显微镜及SEM对氧化膜进行了相结构和表面形貌的分析。结果表明,随着负向电压的提高,膜厚逐渐增加,表面孔洞增大,但孔洞及微裂纹的数量减少,当负向电压为120V时,膜厚达到157μm,孔洞及裂纹数量最少。延长氧化时间,使得微弧氧化膜层厚度增加,膜层生长速率先增大后减小。氧化膜层主要由立方结构MgO和镁橄榄石相Mg2SiO4构成,衍射谱中未发现Mg的衍射峰,氧化膜层致密性较好。陶瓷膜层由致密层和疏松层组成且与基体结合紧密。