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顾正飞; 刘正义; F.R.de Boer; K.H.J.Buschow;
桂林电子工业学院;
华南理工大学;
Van der Waals-Zeeman Institute;
University of Amsterdam;
The Netherlands;
金属材料; 磁晶各向异性; 磁性测量; 择优占位; 稀土钴化合物;
机译:M / Co取代对SmCo_(5-x)M_x化合物(M = Ga; Al)中的磁晶各向异性和磁化强度的影响
机译:六方Fe / sub 60 / Ga / sub 40-x / As / sub x /(x = 6,23)和FeGa / sub 23 / Sb / sub 17 /化合物的磁性和晶体结构以及磁晶各向异性
机译:富铁稀土金属间化合物中的磁晶各向异性。一种用于比较RE(FeTi)12,RE2(FeTi)17和RE3(FeTi)29相关化合物的整体和Fe亚晶格各向异性的现象学方法(RE = Y,Sm)
机译:M / CO取代对磁镀晶各向异性和磁化在SMCO_(5-X)M_X化合物中的影响(M = GA; AL)
机译:and和Ga-钇合金的磁晶各向异性的温度和压力依赖性
机译:Nd2Fe17Nd2Fe17X3和相关化合物的磁性能和磁晶各向异性
机译:一些稀土 - 钴 - 钴复合物,R2Co17的磁化,磁晶各向异性和磁致伸缩
机译:(Al,Ga,In)N晶锭的制造方法,单晶,微电子器件结构,(Al,Ga,In)N晶锭,晶片及零件
机译:蚀刻具有Al x Ga 1-x As和Al v Ga 1-(v + y)In y P化合物的半导体激光器的方法
机译:晶圆分离技术,用于制造自支撑(AL,IN,GA)N晶圆
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