Effective Increase of Crystal Area during Sublimation Growth of 6H-SiC by Using the Cone-shaped Baffle

摘要

坩锅的一个新奇图案为在成年晶形之间的 SiCcrystals.The 关系的生长在这篇论文被建议，在一个生长房间的温度分发被讨论。晶形有一种靠近的关系， temperaturedistribution.The 计算建议了，这被指出成长水晶的光线的温度地由建立变得同质锥形在生长房间的 baffle。由在生长房间修改坩锅设计和温度分发，提高水晶的增大是可能的，并且对也可能使表面公寓成年。