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^(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算

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本文提出了计算高能电子和非电离能量损失 (NIEL)的 Monte Carlo方法 ,首次利用 Monte Carlo方法计算了高能电子和 6 0 Co 的 NIEL.给出了电子和 6 0 Co 在半导体硅材料中产生的 NIEL和缺陷分布 .计算结果与文献的比较表明模型是合理的 .

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来源
《光子学报》 |2000年第5期|415-419|共5页
作者
陈世彬; 陈雨生; 黄流兴; 张义门;
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作者单位

西北核技术研究所五室;

西安电子科技大学微电子所;

西安710071;

西安电子科技大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
辐射损伤; 钴60; 硅; 高能电子; NIEL; 蒙特卡罗;

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