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孙宁; 董松涛; 姚淑华;
南京大学现代工程与应用科学学院材料科学与工程系;
光学浮区法Bi2Sr(Ca)2CO2Oy晶体; 电输运;
机译:浮区法生长的Ce:(La,Gd)2Ge_2O_7的晶体生长和光学性质
机译:MoO_3和WO_3掺杂Bi_4Ge_3O_(12)的光学浮区法的晶体生长和光谱性质
机译:浮区法生长的Bi2Sr2-xLaxCaCu2O8 +δ单晶的输运性质
机译:浮区法生长的高Nd掺杂GdVO_4晶体的光学性质
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:浮区法生长的氧化亚铜晶体中的氧化铜夹杂物
机译:硅浮区晶体生长作为研究缺陷和杂质的工具
机译:通过具有种子,核心区生长和主区生长的浮区工艺生产硅半导体晶体,涉及在工艺期间改变生长室中的压力
机译:通过浮区法生产半导体晶体包括:熔化半导体原材料,将材料粘结在籽晶上,在结晶侧生长半导体材料以及停止供应材料
机译:在浮区法的基层上制造半导体晶体的方法,包括部分加热和熔化原材料晶体,以通过感应加热线圈在原材料晶体的旋转下形成熔融区。
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