离子探针分析中质量干扰离子计数测量方法的研究

摘要

因离子探针在测量Si 中注入杂质的浓度分布时不能将被测二次离子计数n_i(x_,t)、各种干扰离子(质量干扰离子、边缘效应离子及再沉积效应离子等)计数n_(in)(x_i,t)及仪器噪声计数n_n(x_i,t)分开,实测二次离子计数N_i(x_i,t)是三者之和。按N_i(x_i,t)算出的注入杂质浓度分布常具有严重的误差,甚至是假象,故测出各种干扰离子计数及n_n(x_i,t),并将其与n_i(x_i,t)分开是待解决的重要课题。本文提出了一个测量质量干扰离子计数和仪器噪声计数的分析方法,并依此首次测出了当对要测二次离子(11)~B^+检测时所遇到的质量干扰离子计数和仪器噪声计数的统计平均值(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)。实验发现两者皆与每道采集时间t 成正比。测出(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)为测量其它干扰离子计数创造了必要条件。文后对质量干扰离子的来源和组成作了说明。