结晶硅材料的单脉冲和多脉冲激光损伤研究(英文)

摘要

对半导体材料硅的单脉冲和多脉冲激光损伤现象进行研究，实验结果表明多脉冲激光辐照的损伤阈值比单脉冲的少，且多脉冲激光损伤阈值是与脉冲重复频率相关的，随脉冲重复频率增大而减少，说明损伤过程中累积效应的存在．根据实验结果和理论计算，我们指出热积累并不是损伤阈值降低的唯一原因，并对可能的损伤机理进行了讨论．