金属有机分解法制备无铅K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3铁电薄膜

摘要

采用金属有机分解法(MOD)在p型Si(111)衬底上制备了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)薄膜。用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性。同时还研究了薄膜的绝缘性和存储性能。结果发现在740℃下退火4min的KBT薄膜呈钙钛矿结构;在0~8V范围内,薄膜的漏电流小于1.5×10-9A;在-12^+8V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为10V。