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汪小红; 吕文中; 范桂芬; 何建平;
华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074;
调谐率; 微波介电性能; 稀土氧化物; BST; MgO;
机译:非水凝胶浇铸和干压法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO陶瓷的微观结构和介电性能
机译:La_2O_3添加剂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO块状陶瓷介电性能的影响
机译:Sm_2O_3掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO复合相转移剂的微观结构和介电性能
机译:外延氮化钛/氮化铌和钒(0.6)铌(0.4)氮化物(0.4)/氮化铌超晶格薄膜的成核,结构和力学性能
机译:铌掺杂对0.4(Bi0.5K0.5)TiO3-0.6BiFeO3无铅压电陶瓷电性能的影响
机译:0.6tite3O8-0.4mgtio3-sno的微波介电性能为0.6tite3O8-0.4mgtio3-sno
机译:具有各种应变状态的ba(0.6)sr(0.4)tio(3)薄膜的介电性能
机译:使用微波等离子体器件掺杂有异质元件的金属氧化物纳米结构的方法,金属氧化物纳米结构掺杂使用相同的异质元件,并且光催化剂包括掺杂有异质元件的金属氧化物纳米结构
机译:使用微波等离子体器件掺杂有非均相元件的金属氧化物纳米结构的方法使用相同和光催化剂制造的金属氧化物纳米结构,所述金属氧化物纳米结构包括使用相同和光催化剂制成的包括金属氧化物纳米结构掺杂有异质元件
机译:用于生长用于HTSC /钙钛矿氧化物器件和微波器件结构的外延HTSC /钙钛矿氧化物膜的A.sub.4 MeSb.sub.3 O12衬底和介电/缓冲层
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