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NTDCZSi退火过程中新的施主现象

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NTDCZ Si在消除辐照损伤的退火过程中.在750～900℃范围内出现了施主现象.用FTIR,四探针,Hall,正电子湮灭等手段研究了NTDCZ Si的退火行为,并对出现的施主现象进行了讨论.

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来源
《固体电子学研究与进展》|1991年第2期|163-167|共5页
作者
张维连; 徐岳生; 任丙彦; 李养贤;
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作者单位

河北工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
施主现象; NTDCZSi; 退火; 辐照损伤;
入库时间 2022-08-20 22:16:37

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