Cu过量对Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响

摘要

以单相多晶Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2(0≤x≤0. 04)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2薄膜的结构与光电性能。结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu_(1+x)Al_(1-x)O_2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55%,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu_(1.04)Al_(0.96)O_2的室温电导率最高,为1. 22×10^(-2)S/cm;在近室温区(200～300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式。