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鲍进生; 杨成; 哈宽富;
吉林大学;
位错密度; 延-脆转变温度; 单晶; 铁硅单晶;
机译:冷轧钨板中的脆性转变转变:晶体纹理,晶粒尺寸和位错密度对转变温度的影响
机译:转变温度,保留时间和碳含量对方解石结构位错密度的影响
机译:控制低菌株Si_(1-x)Ge_x / Si(001)层的弛豫机制,通过提供预先存在的位错源来降低线程位错密度
机译:(P158-P0010)通过反复变形的Fe-3质量%Si合金形成的位错组织的电子束通道对比度观察
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:位错泡状效应和体心立方单晶钼的环境温度超塑性延伸
机译:砷对Si单晶脆韧带转变的影响
机译:正电子湮没对高纯铁变形单晶的位错研究:位错密度的确定
机译:具有高密度位错的一维直线排列的单晶材料,使用该单晶材料的功能装置及其制备方法
机译:无位错单晶硅的制造方法及无位错单晶硅锭
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