非晶态SiCN陶瓷的高温电导率

摘要

采用直流电流电压测试方法,测定了热裂解前驱体方法制得的SiCN非晶态陶瓷在室温至1373K范围内的直流电导率。结果表明:电导率从室温时的9.6×10-9(Ω·cm)-1增加到1373K时的1.62×10-3(Ω·cm)-1。用Mott模型和Arrhenius法则对实验数据进行分析表明:扩展态、带尾局域态、缺陷局域态、Mott模型中的变程跃迁都对样品的电导率有影响。X射线衍射结果表明:1473K热处理的样品为非晶结构。红外吸收谱表明:样品中主要键合方式为Si—C,Si—N和C—N键,仅有少量的C—H、Si—H和C—O键出现。