p-GaP与Au/Zn/AuSb的欧姆接触

摘要

用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0^(18)cm^(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10^(-4)Ω·cm^(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。