CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究

摘要

利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高。支撑体高度为1000μm和2000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm2情况下,支撑体高度为1000μm时,亮度为1800 cd/m2;支撑体高度为2000μm时,亮度为3100 cd/m2。选用支撑体高度为2 000μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减。