碳化硅涂层的离子注入改性

摘要

在SiC涂层表面注入Al3+,B3+,Si4+,观察3种离子注入对涂层表面裂纹的封填情况,分析离子注入后涂层表面的相组成,考核离子注入对SiC C/SiC材料抗氧化性能的影响。在1 300℃模拟空气中氧化15 h后,注入Al3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.3%,形成的玻璃氧化层中气泡和孔洞少,对涂层裂纹的封填效果较好但覆盖不均匀。注入B3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.1%,形成的玻璃氧化层的流动性好且覆盖均匀,但其表面多气泡和孔洞,破坏了玻璃氧化层对涂层裂纹的封填作用。注入Si4+的复合材料的氧化质量损失同注入B3+的试样基本相当,但是其氧化质量损失有增大趋势,表明Si4+的注入对改善材料的抗氧化性能无积极作用。