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汪飞琴; 苏小平; 霍承松;
北京有色金属研究总院国晶辉红外光学科技有限公司;
化学气相沉积; ZnS; 流体动力学模拟; 流动场;
机译:CVD法在多孔硅基体上生长ZnS / ZnO化合物的制备与表征
机译:固体层ZnS_xSe_(1-x)的CVD法与随后的处理gasostatic制备
机译:自行设计的CVD反应室内温度,气体流速和气体成分分布对SiC纳米线生长影响的模拟研究
机译:CVD法制备CVD法和气体传感器特性Sb掺杂的SnO_2薄膜
机译:具有通用状态通用方程的材料模拟反应性和非反应性可压缩流动的数值方法
机译:用原位差分反射光谱法直接观察CVD法制备的单层MoS2
机译:通过流动方法:Zn-ZnS和Zn-ZnO反应的气体固体交换研究
机译:CVD流动反应器的数值模拟
机译:多层薄膜堆积法的气体入口部以及CVD反应器中的CVD反应器
机译:具有CUIS2 / ZNS纳米晶的具有混合流动反应器的纳米晶的制备装置及制备方法
机译:特别是在高温-cvd-反应器中或在高温-cvd的情况下,制备晶片载体的方法是使用侵蚀性气体的方法。
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