疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场

摘要

利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ－ＥＣＣ）技术，对单滑移取向疲劳Ｃｕ单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带（ＰＳＢｓ）位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算，给出了ＰＳＢｓ演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到ＰＳＢｓ位错结构的演化过程中，内应力的分布是不均匀的，位错密集区域（基体脉络和ＰＳＢｓ墙中）比位错贫乏区域（通道中）平均内应力分布相对集中，ＰＳＢｓ夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱，ＰＳＢｓ与基体边界处存在很大的应力差．由观察和计算结果对ＰＳＢｓ演化给出了一个新的可能的演化机制．