ITO透明导电薄膜的制备工艺研究

摘要

采用溶胶-凝胶法以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件。结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4+离子取代In2O3晶格中的In3+离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600Ω/□,可见光透过率达到83%。