工艺因素对α-Al_2O_3微粒表面SnO_2涂层zeta电位的影响

摘要

以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用原位生成法在α-Al2O3微粒表面制备了In掺杂的纳米SnO2涂层,研究了In掺杂量和焙烧温度对SnO2涂层zeta电位的影响规律和影响机理。利用X射线衍射仪、透射电镜对样品的物相组成和显微结构进行分析。结果表明:当In掺杂摩尔分数为2%、焙烧温度为1000℃时,涂层具有最低的zeta电位。此外,用此涂层修饰后的α-Al2O3微滤膜的水过滤通量有显著地提高。