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郭瑶; 徐晓英; 叶宇辉; 高兵生;
武汉理工大学理学院;
瞬变电压抑制二极管; 标称参数; 静电放电测试方法; 静电放电防护能力;
机译:静电放电应力对具有突变结的双向TVS齐纳二极管电性能的影响
机译:具有AlGaN / GaN堆叠插入层的改进的基于III族氮化物的发光二极管抗静电放电能力
机译:自然生长的纹理表面提高GaN基发光二极管的提取效率和抗静电放电能力
机译:电纺PVDF膜的表征在静电充电参数对充电能力和可放电的影响
机译:具有焊锡空隙的大功率TVS二极管组件的热性能。
机译:标称参数和优化参数下的LPBF 304L不锈钢的高周疲劳性能
机译:参数对静电场电解射流微放电加工坑口深度影响的实验研究
机译:联邦辐射防护指南对am,Fm和TV广播服务的潜在影响的工程评估
机译:TVS二极管和TVS二极管的制造方法
机译:用于静电放电(ESD)保护的低电容和高保持电压的瞬态电压抑制器(TVS)装置
机译:低电容和高保持电压瞬态电压抑制器(TVS)器件,用于静电放电(ESD)保护
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