基于电吸收调制晶体(EAM)的超短光脉冲特性研究

摘要

数值模拟了两种形式的基于电吸收调制晶体 (EAM)的超短光脉冲源 (单 EAM)和级联 EAM形式 )的输出脉冲宽度及消光比与外加反向偏压、射频信号幅度之间的变化关系 .数值模拟结果表明 ,在重复率为 1 0 GHz情况下 ,对于单 EAM形式 ,可以获得的最小脉宽大约为1 3ps,其消光比大于 2 0 d B,脉冲波型接近 sech2孤子波型 ;对于级联 EAM形式 ,我们得到了小于 5ps的超短脉冲 ,消光比也较单 EAM形式有较大的提高 .因此 ,单 EAM形式的超短脉冲源可以满足 2 0 Gb/s的 OTDM系统需求 ,也同样适合于超长距离的光孤子通信系统 ;级联形式 EAM可以满足 40 Gb/s的