重掺碲(100)GaSb单晶的研制

摘要

采用LEC工艺 ,通过特殊的过滤措施 ,可以批量拉制重掺碲的GaSb单晶材料。计算结果表明 ,在该生长系统及工艺条件下 ,碲在GaSb中的有效分凝系数约为 0 38。GaSb单晶EPD测试表明 :EPD沿径向分布呈“W”型 ,数量约为 1× 1 0 3cm- 2 ;沿晶体生长方向 (1 0 0 )变化不大。