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金仁成; 翁雪军; 王立鼎; 张五金;
大连理工大学微系统研究中心;
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室;
SnO2; 密度泛函理论; 电子结构; 能隙;
机译:掺Ti SnO_2(110)表面的结构表征和电子性能:第一性原理研究
机译:Mg_2Si(100),(110)和(111)表面的表面电子结构,弛豫和热力学能:第一性原理理论研究
机译:掺Sb的SnO_2(110)表面的结构和电子性质:第一个原理研究
机译:掺杂Ti的SnO_2(110)表面H_2O吸附的第一性原理研究
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:第一性原理研究CL-20 / FOX-7分子在MgH2(110)表面的吸附和分解性能
机译:(100)和(110)钙钛矿表面的原子和电子结构的第一性原理和半经验计算 ud
机译:LiF,NaCl和mgO(100)表面的表面能和电子结构的第一性原理计算
机译:物的结构和性质的定量第一性原理量子力学预测的方法学及其计算实现
机译:在<110>方向导电的硅结构的(110)表面上的方法和装置
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