室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究

摘要

以氧化铝(Al2O3)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础,室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响。结果表明:掺杂量大于1%(质量分数,下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长,薄膜致密无裂纹,具有光滑表面;掺杂量对薄膜的电阻率影响显著,当掺杂量为3%时,薄膜的电阻率最小,仅为7.4×10-3Ω.cm;掺杂量对薄膜的透光性无明显影响,不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90%。