Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

摘要

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu_2O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu_2O膜会受轻微Cl^-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5—15 g/L)时,Cu_2O膜会受Cl^-较严重的侵蚀,Cl^-掺杂使Cu_2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量Nacl(大于15 g/L)时,Cu_2O膜完全被Cl^-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用,当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl^-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl^-对Cu_2O膜的掺杂,Cu_2O受到了保护仍为p型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl^-竞争吸附只能削弱Cl^-对Cu_2O膜的掺杂,Cu_2O膜仍受Cl^-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu_2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.