铜的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

摘要

用光电化学方法研究了铜在不同浓度的NaCl中的腐蚀与缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对铜的缓蚀作用。铜在硼酸-硼砂缓冲溶液中，表面的Cu2O膜为p-型半导体。当铜所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时，Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时，Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀，Cl-掺杂使Cu2O膜部分转型成n-型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时，Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n-型。缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)的加入能够对铜起到缓蚀作用：当NaCl浓度为2 g/L时，PASP与溶液中的Cl-在铜表面竞争吸附，明显抑制了Cl-对Cu2O.膜的掺杂，Cu2O受到了保护仍为p-型;在NaCl浓度为30 g/L时，PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-时Cu2O膜的掺杂，Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转型成n-型，但n-型性质变弱。