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路庆凤; 王艳文; 霍德璇; 孙培杰; 石川义和; 樱井醇児;
河南师范大学物理与信息工程学院;
东华大学材料科学与工程学院;
日本富山大学理学部;
金属间化合物; 热电势; 电阻率; 粉末X射线衍射法; 重电子系统; 电子磁矩; 直流四引线法; 晶格常数;
机译:同时优化Ce(Ni_(1-x)Cu_x)_2Al_3中相互依存的热电参数
机译:Nd(Ni_(1-x)Cu_x)(In_(1-y)Al_y)金属间化合物及其氢化物的氢化和晶体结构
机译:化合物Ce(Ni_(1-x)Cu_x)_2(Si_2)中的竞争能级
机译:金属间化合物的热电特性:Mg / sub 3 / Bi / sub 2 /和Mg / sub 3 / Sb / sub 2 /用于中等温度范围的热电元件
机译:某些B2稀土-镁金属间化合物(RMg; R = Y,Ce)的机械和氧化性能。
机译:过渡金属硅化物基复合热电偶的制备和热电特性
机译:在Ce(x)La(1-x)Cu(2.05)si(2)金属间化合物中的Kondo效应
机译:moessbauer研究金属间化合物伪三元Ce(Ru(sub 1-x)Fe(sub x))(sub 2)Ge(sub 2)化合物(0(<=)x(<=)1)
机译:制造金属间化合物的方法,及其制备的热电元件和热电模块
机译:获得杂化纳米晶体Au 3 sub> Fe 1-x / sum> / Fe和金属间纳米晶体Au 3 sum> Fe 1-x sub>的方法具有受控横向尺寸
机译:在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
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