Cu^(2+)离子掺杂纳米SiO_2材料中346nm光致发光带

摘要

采用溶胶凝胶技术制备了Cu^(2+)掺杂纳米Si O_2材料,测量了材料的光致发光性能。X射线衍射及透射电子显微镜测试结果表明:Cu^(2+)掺杂纳米Si O_2材料具有微晶结构,颗粒尺寸为20~30nm。对其光致发光谱的测定显示:微量Cu^(2+)掺杂的样品在220nm激发时存在着唯一的很强主峰,位于346nm左右的紫外发光峰。通过对比不同掺杂浓度、不同煅烧温度及氢化处理对该紫外峰的影响,对346nm紫外发光峰可能的起源进行了初步探讨。