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1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

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利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·

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来源
《光子学报》 |2006年第4期|549-551|共3页
作者
韩勤; 彭红玲; 杜云; 倪海桥; 赵欢; 牛智川; 吴荣汉;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

集成光电子学国家重点联合实验室;

超晶格国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
探测器; LT-GaAs; 谐振腔增强; 分布布喇格反射镜;

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