浅论纯二氧化硅纤芯光纤和PICVD工艺

摘要

本文对纯二氧化硅纤芯的 PICVD 光纤及 PICVD 工艺作了简要评述。这种纯二氧化硅纤芯的 PICVD 光纤有较宽广的低损耗皮长区,尤其是其在通常的短波长波段(860nm)有着极低损耗:1.3dB/km,优良的抗辐照性能。其单模光纤也可能有较宽广的低色散区域。文章指出了这种光纤的出现可能会大大加速光纤技术应用的推广,并使光纤技术再发展获得新的动力。