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陈泓霖; 李伟; 武鹏飞; 丁长路; 杨凯;
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室;
重庆大学微系统研究中心;
溶胶-凝胶法; PZT薄膜; 残余应力; X线衍射法; 退火温度;
机译:脉冲激光沉积PZT薄膜的残余应力和杨氏模量:薄膜组成和Si悬臂晶体方向的影响
机译:APS-APS四角分会年会-活动-铌掺杂对PZT薄膜结构和电性能的影响
机译:铌掺杂对聚合前驱体制备的PZT薄膜铁电性能的影响
机译:MOD和溶胶铌掺杂PZT薄膜压电性能的比较
机译:掺杂和不掺杂铌酸铅铟:铌酸镁铅的温度稳定性得到改善的高介电常数陶瓷和薄膜的研究
机译:低温键合法制备的LNOI / Si杂化晶片铌酸锂薄膜层中的残余应力
机译:残余应力对pZT薄膜电性能的影响
机译:化学制备的掺杂铌的pZT薄膜。
机译:Mn Nb PZT锰掺杂铌的PZT压电薄膜
机译:锰,铌掺杂的PZT压电薄膜的Mn Nb PZT组成
机译:用于形成掺杂锰和铌的PZT压电薄膜的组合物
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