蒙特卡罗方法调整探测器死层厚度和冷指尺寸的研究

摘要

目的 用蒙特卡罗(MC)方法计算效率和实测效率的比较,调整HPGe探测器死层厚度和冷指尺寸,提高MC方法计算HPGe探测器γ射线探测效率的准确度。方法 在理论分析探测器死层厚度和冷指尺寸对γ射线探测效率影响的基础上,用^(137)Cs刻度源在不同距离处实际测量HPGe探测器的效率,并将探测器死层厚度和冷指尺寸调节前、后计算效率与实测效率进行比较。结果 探测器死层厚度和冷指尺寸调节前与调节后相比,理论计算与实测效率相对偏差的平均值由5.301％提高到3.937％。结论 相对偏差的明显改善,不仅增强了MC软件的模拟计算功能,也提高了放射性测量结果的准确度。