VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究

摘要

利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计。结果表明，当金属导线的纵横比接近2时，线间耦舍电容对互连总电容的影响将占主导地位。在超深亚微米工艺条件下，当金属线宽和间距比例W／P的最优质值为0．5-0．6时，计算的互连延迟为最小。此外，还给出了低介电常数材料对互连线电容和延迟的影响，为超深亚微米级的集成电路设计与实现提供有益的参考。