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REGaSi的合成、结构及Ga-Si成键网络

         

摘要

用电弧熔炼法合成了系列化合物REGaSi(RE=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy),采用粉末X射线衍射方法测定了化合物SmGaSi的晶体结构,获得其晶体学及结构修正参数为:四方晶系,LaPtSi类型,(109)I41md,Mr=2500,a=04134(3)nm,c=1422(2)nm,V=02430(5)nm3,Z=4,Dx=6464g·cm-3,F(000)=428,T=296K。同时还测定了其他化合物的晶胞参数。化合物结构主要表现为GaSi的共价结合并形成三维网络,经典极限情况下结构式可表达为RE3+Ga2-Si1-,为金属性Zintl化合物。原子的“配位数”遵从配位环境规律。

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