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王国菊; 王必本; 王波; 郑坤; 朱满康; 严辉;
北京工业大学量子信息材料实验室;
聊城大学物理科学与信息工程学院;
北京工业大学应用数理学院;
北京100022;
碳纤维; 辉光放电; 负偏压; CVD; 扫描电子显微镜; 沉积条件;
机译:SnO2锚定碳纤维化学气相沉积(CVD)合成:生长参数对形态和电化学行为的影响
机译:通过化学蒸气沉积在铜箔上生长的石墨烯的表征( cvd fc> cvd)在环境压力条件下
机译:碳纳米管在碳纤维上的直接生长:CVD参数对碳纤维机械性能的影响
机译:PEMFC双极板工作条件下电沉积PANI对CVD生长的MWCNTs涂层316不锈钢腐蚀行为的影响。
机译:化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯和钌表面上的电沉积铋的界面表征
机译:增长条件对超声波喷雾热解沉积ZnO种子层生长的CBD合成ZnO纳米棒性能的影响
机译:金刚石薄膜上碳纳米管生长的三种不同化学气相沉积(CVD)技术的比较研究。
机译:在胁迫条件下提高植物的生产力和/或生长,减少植物对脱落酸(皮瓣)的反应,调节pyl8受体与皮瓣的相互作用,减少种子休眠,减轻对植物的影响的方法胁迫条件对植物生长和生产力的影响,用于生产在胁迫条件下具有提高的生产力/生长的转基因植物,转基因植物,植物衍生的产物,载体,宿主细胞,使用植物dda1核酸序列,表达增强的植物内源植物dda1核酸序列和增加的内源dda1多肽稳定性
机译:在发光设备中使用远程等离子体化学气相沉积RP-CVD和溅射沉积生长层的RP-CVD方法
机译:使用远程等离子体化学气相沉积(RP-CVD)和溅射沉积在发光器件中生长层的方法
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