Ni_(52)Mn_(26)Ga_(22)薄膜的马氏体相变和磁电阻

摘要

用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜。用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面。沉积时衬底温度为773K。电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行。X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相。电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小。在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%。马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同。