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600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管

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６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1994年第2期|193-193|共1页
作者
王因生; 陈正东; 张树丹; 谭卫东; 郑承志; 刘六亭; 康小虎; 周德红; 陈统华;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.4;
关键词
功率晶体管; 硅; 脉冲;

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