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曲炳郡; 任天令; 刘华瑞; 刘理天; 李志坚; 库万军;
清华大学微电子学研究所;
深圳华夏磁电子公司;
巨磁电阻; 自旋阀; 磁性能; 传感器; 反应离子刻蚀;
机译:具有磁致伸缩FeSiB非晶层的自旋阀巨磁致电阻膜及其在应变传感器中的应用
机译:具有静磁耦合元件的伪自旋阀环的巨磁致电阻行为
机译:具有$ hbox {Co} _ {2} hbox {Fe}(hbox {Ge} _ {0.5} hbox {Ga} _ {0.5})$ Heusler合金铁磁层的伪自旋阀中的电流垂直于平面的巨磁电阻和铜/银间隔物
机译:反铁磁/铁磁界面粗糙度对自旋阀系统中交换耦合和MR比的影响
机译:自旋阀和磁隧道结中自旋传递驱动的磁化动力学
机译:TbFe在基于Co / Ni N的自旋阀中垂直磁各向异性和巨磁阻效应中的作用
机译:面内电流对磁电阻特性的影响 具有绝缘反铁磁层的交换偏置自旋阀
机译:应用于磁数据存储的巨磁电阻效应数值模拟。 CRaDa的最终报告为CRaDa编号Y-1293-0175
机译:具有第二自旋阀自固定复合层的增强的双自旋阀巨磁致电阻效应的方法和装置
机译:在保持高巨磁致电阻(GMR)的同时改善自旋阀软磁特性的方法和装置
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