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张建武; 古丽娜; 许高杰; 张昌锦; 闫宏杰; 石磊; 张裕恒;
中国科技大学结构分析开放研究实验室;
中国科技大学化学系;
Bi2201; 掺杂; 超导体; 铅; 镧; 单晶生长;
机译:掺杂不足的(Bi,Pb)(Sr,La) 2 sub> CuO 6+ δ i> sub>(Bi2201)中无费米表面的超导
机译:STM研究掺Pb的Bi2201单晶中的结构调制和两相微结构
机译:Bi_2(Sr_(2-x)La_x)CuO_(6 +δ)高温超导体的高质量大单晶的生长,表征和物理性能
机译:生长温度调制的相位演化和高质量PB_(1-X)LA_X的功能特性(Zr_(0.9)Ti_(0.1))O_3薄膜
机译:通过微波等离子辅助化学气相沉积法生长和表征大型,高质量的单晶金刚石基底。
机译:001 c极化Mn掺杂0.24Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-0.46Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-0.30PbTiO3单晶的介电常数弹性常数和压电常数的温度依赖性
机译:欠掺杂(Bi,pb)2(sr,La)2CuO6 +δ(Bi2201)中的无费米表面超导电性
机译:通过等离子体增强化学气相沉积生长高质量薄膜Ge单晶
机译:制备碳化硅体积单晶,包括在生长坩埚的晶体生长区域中制备碳化硅生长气相,以及通过从碳化硅生长气相沉积而生长单晶。
机译:自动添加高挥发性掺杂剂的单晶能力的单晶掺杂系统以及包括该单晶锭的单晶生长装置
机译:生长高质量硅单晶的方法和设备,由此生长的硅单晶锭以及由该单晶锭生产的晶片
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