砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

摘要

着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。