Investigation of Ge-Si Atomic Interdiffusion in Ge Nano-dots Multilayer Structure by Double Crystal X-ray Diffraction

摘要

在超点阵或量井 canbroaden 的拉紧的层的变化在两倍水晶X光检查衍射( DCXRD )的卫星山峰的宽度 pattern.It 是 第0 山峰的宽度是的 foundthat 与另外的相关事实是的拉紧的层 ifthe 的变化直接成正比 ignored.By 这个方法，在弄湿层的 Ge nano-dotsand 的 Ge-Si 原子 interdiffusion 被 DCXRD.It 调查了被发现那热退火罐头 activateGe-Si 原子 interdiffusion 和