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用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲

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本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应用展示了更广阔的前景.

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来源
《电子测量与仪器学报》|1991年第3期|1-7|共7页
作者
尹成群; 李锦林;
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作者单位

华北电力学院;

中国科学院半导体所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
VMOSFET; 纳秒脉冲; 电路;
入库时间 2023-07-23 16:30:12

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