用半导体饱和吸收镜进行Yb:YAG晶体被动锁模特性研究

摘要

为了研究半导体泵浦的Yb:YAG晶体被动锁模特性,分别采用光纤耦合输出激光器,半导体列阵和激光二级管作为泵浦源,利用直腔和五镜谐振腔,用半导体饱和吸收体(SESAM)作为被动锁模器件,对Yb:YAG晶体的被动锁模运转情况进行研究。实验中分别得到了谱线宽度为1.1nm,2nm和2.8nm的稳定锁模脉冲序列。最后得出结论,对于相同的SESAM,被动锁模脉宽主要受晶体内部的泵浦光功率密度和激光介质发射带宽两个因素的影响。对被动锁模激光器的研究具有指导意义。