一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器

摘要

介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0．35μmB iCMOS工艺制作，晶体管fT达21GHz（Vce=1V）。该分频器在-5V电源电压下功耗为52．5mW，最高工作频率达到11GHz；在-55℃和85℃温度时，最高频率仍能达到10．2GHz；输入功率-25dBm时，可工作在2～10GHz的频率范围。